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型號(hào):
WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

描述:晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間

    2025-03-19
  • 訪問(wèn)量

    1448
詳細(xì)介紹
品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域電子/電池,道路/軌道/船舶,航空航天,汽車及零部件,電氣

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

關(guān)鍵詞:晶圓,均勻,6寸


晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

主要技術(shù)參數(shù);

1、溫度:室溫-200℃,650℃,1000℃,

2、加熱速率:40/min,

3、加熱臺(tái)尺寸:6寸,8寸,12寸等可以定制

4、控溫精度:±

5、加熱溫度均勻度允許誤差:±1 

6、加熱臺(tái)需可抗壓:100KN

7、可配合各種電學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行電學(xué)數(shù)據(jù)功能采集

8、表面處理:鍍膜,鍍金或是黑礬石

9、熱臺(tái)材質(zhì):不銹鋼或銅

10、可以配合各種電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)及探針測(cè)試



               6寸晶圓在不同溫度下均勻性



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